H3D20120H

发布日期:2024-10-18 访问量:571
H3D20120H

SiC肖特基二极管 型号H3D20120H,反向电压V(rrm)=1200V,平均正向电流I(f)=20A,TO-247-2L封装,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品概述

SiC肖特基二极管 型号H3D20120H,反向电压V(rrm)=1200V,平均正向电流I(f)=20A,TO-247-2L封装,主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品特点:

  1. 先进的MPS结构设计,抗浪涌电流能力强
  2. 零反向恢复电流,工作频率高
  3. 正向压降正温度系数,易于并联
  4. 6英寸薄片工艺,芯片厚度100μm,热阻低,散热好
  5. 最高工作结温175℃

 

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